Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuật Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag Chuyên ngành Vật liệu điện tứHà Nội - 7/2020Viên ki~Đô á 11 tõt nghiêpTRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI• • •ĐÈ TÀI TÕT NGHIỆPChẽ tạo pin Mat tl(ỳ ị màng mòng cấu trúc thúy tinh/ITO/AZO/ZnO/In2S3/Cu2Sn3-xCrxS-/Ag (X = 0, 0.09, 0,18, 0,27) và kháo sát đặc tiling J-V cúa pin Mặt trời đaxhẽ tao trong điê Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag u kiện chiếu sáng tiêu chuãn AM1.5G (100 mW/cm2).Giáo viên hướng dần Ký và ghi rò ho tênLời càm ơnTrong quá trình học tập và làm thực nghiệm tại ViệnChế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
Vật lý kỳ thuật Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, em đà nhận được rât nhiêu kiẽn thứ c quý báu cung như sự quan tâm, tạo điêu kiện của các thây, cô giáTRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuật Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag o và đóng góp ý kiến quý báu trong suốt quá trình thực hiện và hoàn thành đồ ánCuối củng, em xin gửi lời ca'm ơn gia đình và ban bè, nhung ngườ i đa'luôn quan tâm ùng hô em trong suõt quang thờ i gian tâp., nghiên cún và hoàn thành hoe đồ án tõt tốt nghiệp taị trườ ng.Mặc dù đã cố gâng hết sức nhung Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag bàn đò án này không thẽ tránh thiếu sót. Vì vậy em rất mong nhận được sự thông càm và góp ý cùa thầy cô.Em xin chân thành cám ơn!Tóm tât nội dung đôChế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
ánĐã chẽ tạo thành công pin Mặt trời cẩu trúc thủy tinh'ITO/AZO/ZnO/In2S3/Cu2Sn3,xCrxS7/Ag (x = 0, 0,09, 0,18, 0,27) bầng phương pháp phun nhiệt phân.TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuật Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag trong suốt, đông đêu, bao gôm các hạt có kích thước là 200 - 300 nm sắp xêp sít chặt với nhau. Các hạt được tạo nên từ các nano tinh thế có kích thước 27 nm. Màng có độ truyền qua T > 80 % trong dài bướ c sóng Ă = 420- 830 nm vớ i giá trị bê rộng vùng cãm là Eg = 3,27 eV, nông độ hạt tải khối là 2, Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag 15x1016 cm-3, độ linh động PH = 7,93 Cm2/Vs và điện trở suât là 37,5 Q.cm.Màng ZnO đaxUẤ chế tao tù’dung dic.h tiền chất O,1M Zn(CH3COO)2 ở 410°C vớiChế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
tốc độ phun V = 10 ml/phút từ khoáng cách d = 27 em. Màng ZnO trong suốt, bám dính tôt trên đẽ, bao gôm các hạt có kích thước 100 nm sắp xếp sít chặt TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuật Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag sáng có bướ c sóng Ă = 390 - 1100 nm vớ i giá trị bê rộng vùng cấm lả Eạ = 3,25 eV, độ linh động Ph = 1,35 Cm2/Vs, nông độ hạt tái khôi là 4,91x1016 cm-3 và điện trở suất là 94,6Q.cm. Màng In2S3 đã cta chế lao từ dung die h tiền chất 0,02M InCl3 và 0,09M (NH2)2CS ở 300°C với tốc đô.phun V = 9 - 10 m Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag l/phú (, khoa’ng cách d = 30 em. Sau khi chẽ tao, In2S3 đut*? ù trong môi trưở ng chân không thấp trong 3 h ở nhiệt độ 300°C. Màng có màu vàng chanh,Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
bê mặt mịn, đông đêu, không bị bong nứt, bám dính tốt. Màng bao gôm các hạt có kích thước khoảng 20 - 25 nm sẳp xêp sít chặt với nhau. Đô truyền qua cTRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuật Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag 27 xuống 2,67 eV với nông độ hạt tài khối là 3,8xl019 em’3,độ linh động PH = 1556,15 cm2/Vs và điện trở suất là 2,08x10-4 Q.cm. Màng Cu2Sn3-xCrxS’(x = 0, 0,09, 0,18, 0,27) đâ được chế tạo từ các dung dịch tiền chất SC(NH2)2, SnCl2.5H2O, CrC13.6H2O và CuC1.2H2O ở nhiệt độ 300°C với tõc đô phun V = 4 Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag ml/phút.Trong điều kiện chiếu sáng tiêu chuãn AM1.5G (100 mW/cnr), pin Mặt trời sừ dụng các màng hấp thụ Cu2Sn3Sr, Cu2Sn2.9iCr,09 Sr, Cu2Sn2.82Cro.i8SChế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag
7 và Cu2Sn2.-3Cro.2-S- lân lượt có voc = 90 mV và Jsc = 0,23 mA/cm2, voc = 53,5 mV và Jsc = 0,67 mA/cm2, = 140 mV và = 0,37 mA/cm2, Voc = 310 mV và JsTRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuật Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag viên thực hiệnKý vả ghi rõ ho tênMỤC LỤCCHƯƠNG 1. TỔ NG QUAN...............................11.1PỉnmăỊ ười....................................1I Ị Ị Khái niêm Chế tạo pin Mặt trời cấu trúc thủy tinhITOAZOZnOIn2S3Cu2Sn3xCrxS7Ag TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI • • •ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆPChê tạo pin Mặt trời câu trúc thủy tinh/ITO/AZO/ZnO/In^Sa/CUiSn^-xCrxSy/AgNgànlì Vật lý kỹ thuậtGọi ngay
Chat zalo
Facebook