Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: WORD

Số trang: 72 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

ĐẠI HỌC QUỔC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyễn Thị ChâmNGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN CÃU TRÚC LAI

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen DÂY NANOSILIC/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE):POLYSTYRENESULFONATE/GRAPHENLUẬN VÀN THẠC sĩ KHOA HỌCHà Nội - 2020ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌ

C KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyễn Thị ChâmNGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHÃT CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN CẤU TRÚC LAI DÂY NANOSILIC/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXY Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

THIOPHENE):POLYSTYRENE SULFONATE/GRAPHENChuyên ngành: Vật lý chất rânMã số: 8440130.02LUẬN VĂN THẠC sì KHOA HỌCNGƯỜI HƯỚNG DÀN KHOA HỌC:TS. Phạm Văn T

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

rìnhPGS.TS. Lê Tuẫn TúLỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan bần luận văn này là công trình nghiên cứu do chính tôi -học viên Nguyền Thị Châm, chuyên ngành Vật

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen Tuấn Tú. Bản luận văn không sao chép tù’ bất kỳ tài liệu nào. Nếu bán luận văn này được sao chép tù’ bất kỳ tài liệu nào tôi xin hoàn toàn chịu trách

nhiệm trước đơn vị đào tạo và pháp luật.Hà Nội, ngày 20 tháng 11 năm 2020Học ViênNguyền Thị ChâmLỜI CẢM ƠNVới lòng biết ơn sâu sắc, em xin chân thành Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

cảm ơn PGS.TS. Lê Tuân Tú và TS. Phạm Văn Trình, nhừng người đà trực tiếp giao đê tài và tận lình hướng dán em hoàn thành luận văn này.Em xin chân thà

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

nh cảm ơn toàn thế cán bộ trong phòng Vật liệu Cácbon nanô, Viện Khoa học Vật liệu đà cung cấp cơ sờ vật chất và chỉ bảo tận tình em trong suốt quá tr

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen ọc Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Hà Nội đà chỉ bào và giảng dạy em trong suốt những năm học qua cũng như việc hoàn thành luận văn này.Tôi cùng xin gửi lờ

i cảm ơn đến GS. Naoki Fukata tại viện NIMS, Nhật Bản đà luôn sằn sàng ủng hộ, giúp đờ tôi thực hiện một số phép đo và khảo sát tính chẫt vật liệu phụ Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

c vụ cho luận văn.Nội dung của luận văn là một phần công việc cùa đề tài Độc lập trẻ cẫp Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam mã số ĐLTE00.03/1

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

9-20 và đê tài Nafosted mã số 104.06-2018.34Cuối cùng, xin được bày tỏ tình cảm tới nhừng người thân trong gia đình, các bạn trong tập thê lớp đã động