Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: WORD

Số trang: 73 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVJỆN HẬN LÂMVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆV J 0 >■ z

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. 0 cz z 0 •o n r—Í zNguyễn Ngọc LinhTÊN ĐÈ TÀI LUẬN VĂNNGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BẰNG PHƯƠNG PHÁP THIÊU KẼT DÒNG

XUNG PLASMA/0LUẬN VĂN THẠC sỉ Chuyên ngành: Vật ỉý chất rầnHà Nội - 2022BỘ GIÁO DỤC VA ĐÀO TẠOVIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOA HỌC V Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

À CÒNG NGHỆNguyên Ngọc LinhTÊN ĐÈ TÀI LUẬN VĂN NGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BẢNG PHƯỜNG PHÁP THIÊU KẾT DÒNG XUNG PL

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

ASMAChuyên ngành : Vật lý chất rắn Mã số: 8440104LUẬN VĂN THẠC sĩ NGÀNH VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DẰN KHOA HỌC : TS. Lương Văn ĐươngHà Nội - 2022iLỜI CAM ĐOAN

MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVJỆN HẬN LÂMVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆV J 0 >■ z

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. hiên cứu. Chính vì vậy, các kết quà nghiên cún dâm bào trung thực và khách quan nhât. Đồng thời, kẽt quà này chưa từng xuât hiện trong bât cứ một nghi

ên cứu nào. Các sõ liệu, kẽt quà nêu trong luận văn là trung thực nẽu sai tôi hoàn chịu trách nhiệm.Tác già luận vănNguyền Ngọc LinhiiLỜI CẢM ƠNLời đầ Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

u tiên, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn đên TS. Lương Vãn Đương đà dành cho tôi nhùng định hướng khoa học hiệu quả, sự động viên và giúp đờ tận tình trong

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

suôt quá trình thực hiện luận vãn này.Tôi xin trân trọng cám ơn sự giúp đờ và tạo điêu kiện thuận lợi của cơ sờ đào tạo là Học viện Khoa học và Công

MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVJỆN HẬN LÂMVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆV J 0 >■ z

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. y được thực hiện với sự hỏ trợ kinh phí cùa Nhiệm vụ hợp tác quốc tế giữa Viện Khoa học vật liệu (IMS) với Viện Khoa học Công nghệ tiên tiến Hàn Quốc

(KAIST), Mà số QTKRO 1.02/19-20. Công việc thực nghiệm được thực hiện tại Phòng vật liệu kim loại tiên tiến, Viện Khoa học vật liệu.Tôi xin gửi lời cà Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

m ơn đến TS. Trần Bào Trung, TS. Hyoseop Kim, các đồng nghiệp tại Viện Khoa học vật liệu và Viện Công nghệ công nghiệp Hàn Quốc (KITECH) đã giúp đỡ tô

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

i trong quá trình thực hiện luận văn cao học.Sau cùng, tôi muôn gửi tới tầt cả nhừng người thân trong gia đình và bạn bè lời cảm ơn chân thành nhãt. C

MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVJỆN HẬN LÂMVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆV J 0 >■ z