Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297ÀVIỆN HÀN LÂMDỤC VÀ ĐAOKHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNTẠOHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CỔNG NGHỆo> z z e •o nNguyễn Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. Ngọc LinhTÊN ĐÈ TÀI LUẬN VĂNNGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BĂNG PHƯƠNG PHÁP THIÊU KẼT DÒNG XUNG PLASMALUẬN VĂN THẠC sì Chuyên ngành: Vật ìý chất rânHà Nội - 2022BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠOVIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆNguyễn Ngọc Linh Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. TÊN ĐỀ TÀI LUẬN VÀN NGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BĂNG PHƯỜNG PHÁP THIÊU KẼT DÒNG XUNGPLASMAChuyên ngành : Vật lý chNghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
ất rân Mã số: 8440104LUẬN VĂN THẠC sĩ NGÀNH VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DẦN KHOA HỌC : TS. Lương Văn ĐươngHà Nội -2022iLỜI CAM ĐOANTôi xin cam doan dê tài nghiêMẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297ÀVIỆN HÀN LÂMDỤC VÀ ĐAOKHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNTẠOHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CỔNG NGHỆo> z z e •o nNguyễn Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. ết quà nghiên cứu dâm bào trung thực và khách quan nhât. Đồng thời, kết quà này chưa từng xuât hiện trong bất cứ một nghiên cứu nào. Các sỗ liệu, kêt quà nêu trong luận văn là trung thực nêu sai tôi hoàn chịu trách nhiệm.Tác già luận vănNguyền Ngọc LinhiiLỜI CẢM ƠNLời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng b Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. iết ơn đên TS. Lương Vãn Đương đà dành cho tôi nhùng định hướng khoa học hiệu quả, sự động viên và giúp đờ tận tình trong suôt quá trình thực hiện luậNghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
n vãn này.Tôi xin trân trọng cám ơn sự giúp đờ và tạo điêu kiện thuận lợi của cơ sờ đào tạo là Học viện Khoa học và Công nghệ cùng Viện Khoa học vật lMẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297ÀVIỆN HÀN LÂMDỤC VÀ ĐAOKHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNTẠOHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CỔNG NGHỆo> z z e •o nNguyễn Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. ợ kinh phí cùa Nhiệm vụ hợp tác quốc tế giữa Viện Khoa học vật liệu (IMS) với Viện Khoa học Công nghệ tiên tiến Hàn Quốc (KAIST), Mà số QTKRO 1.02/19-20. Công việc thực nghiệm được thực hiện tại Phòng vật liệu kim loại tiên tiến, Viện Khoa học vật liệu.Tôi xin gửi lời càm ơn đến TS. Trần Bào Trung, Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. TS. Hyoseop Kim, các đồng nghiệp tại Viện Khoa học vật liệu và Viện Công nghệ công nghiệp Hàn Quốc (KITECH) đã giúp đỡ tôi trong quá trình thực hiện lNghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
uận văn cao học.MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297ÀVIỆN HÀN LÂMDỤC VÀ ĐAOKHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNTẠOHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CỔNG NGHỆo> z z e •o nNguyễn MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297ÀVIỆN HÀN LÂMDỤC VÀ ĐAOKHOA HỌC VÀ CÒNG NGHỆ VNTẠOHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CỔNG NGHỆo> z z e •o nNguyễnGọi ngay
Chat zalo
Facebook