Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: PDF

Số trang: 64 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

ĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘIĐẠI HỌC QƯÓC GIA TP HÓ CHỈ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC CÓNG NGHẸPTN CÔNG NGHỆ NANOTRÀN AN ĐỊNHNGHIÊN CỨU QUY TRÌNH MẠ KHÔNG ĐIÊN cựcHƯỚN

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô NG ĐÉN ƯNG DỤNG CHÉ TẠO ĂNG-TEN CHO THẺ RFIIChuyên ngành: Vật liệu và Linh kiện Nano (Chuyên ngành đào tạo thí điểm)LUẬN VAN THẠC sỉNGƯỜI HƯỚNG DẢN KH

OA HỌC: PGS.TS Đặng Mậu ChiếnThành phố Hồ Chí Minh - 2014LỜI C AM DOANl ôi lã I ran An Dinh, học viên cao học chuyên ngành Vật liệu vã linh kiện Nano Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

cùa Trường Đại học Còng Nghệ -DHQG Hà Nội và Phòng thí nghiệm ('ông nghê Nano (ỉ.Nì ) -ĐIIQG IIỒ Chi Minh dà hoán thành luận vãn này. Tòi XÙI cam đoan

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

ráng sô liệu, kềl quá linh loán hoàn ihânh trong luận văn là tiling thực vã chưa có trong cãc công trinh nào khác mã tôi không tham gia.Tác giaTrần A

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô sự giúp đờ tận tinh của nhiều cá nhân và tập thể.Trước hết. em xin trân trọng cảm ơn đến thầy giáo-PGS.TS Đặng Mậu Chiến vã Th s Đặng Thị Mỹ Dung, ng

ười đà quan tâm và trưc tiếp hướng dần em hoàn thành bài Luận vãn này. Em cũng xin chân thành gửi lời câm ơn đến tất cả các anh chị trong Phòng thí ng Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

hiêm công nghệ Nano (LNT), A.Hoàng ớ Viện nghiên cứu Vật lý đà chi báo và tạo nhiều điều kiện thuận lợi cho em đê có thê thực hiện bài luận văn của mi

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

nh một cách tốt nhất.Nhân dịp này, em cũng xin tô lòng biết ơn sâu sẳc tới nhùng người thân, bạn bè đà giúp đờ. đông viên em trong suốt quá trình Lãm

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô nh mong được các Thay cò chi bào đề em hoàn thiện hơn nữa kiên thức cùa mình. Em mong với nỗ lực cua bàn thân tuy nhó nhưng qua Luận này sè góp phần v

ào sự phát triển kỳ thuật ngành mạ nói riêng cũng như vào sự phát triển của khoa học kỳ thuật Việt Nam nói chung.Tp Hồ Chi Minh, ngày 14 tháng 02 năm Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

2014.Sinh viên thực hiệnTrần An ĐịnhMỤC LỤCTRANG PHỤ BÌATrangLỜI ( AM DOAN........................................................LÕI CAM ƠN..........

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

.................................................MỤC LỤC..............................................................DANH MỰC CÁC KÝ IIIẸU VÉT TẢT...

Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô .........................MỞ ĐẤU..............................................................1Chương 1: TỎNG QUAN.....................................

............21.1Tình hình nghiên cứu phuong pháp mạ không diện cục trong và ngoài niróc............................................................... Luận văn thạc sĩ nghiên cứu quy trình mạ không điện cực hướng đến ứng dụng chế tạo ăng ten cho thẻ rfid luận văn ths vật liệu và linh kiện nanô

.....21.2Lý thuyết mạ không điện cực.....................................31.2. ĩ Khải niệm chung..............................................3