KHO THƯ VIỆN 🔎

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

➤  Gửi thông báo lỗi    ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu:     PDF
Số trang:         57 Trang
Tài liệu:           ✅  ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT
 













Nội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

https: //k hot h u vien .comĐẠI HỌC QUÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG BẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền I lli ChainNGHIÊN CỨU C HẼ TẠO VÀ KHAO SẤT TÍNH C HẤT C ỨA P

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen PIN MẠ I I RÒI BỤ A TRÊN CẤU TRÚC LAI BÂY NANO SILIC 7POLY(3,4-ETHYTENEDIOXYTHIOPHENE): POLYSTYRENE SULFONATE/GRAPHENLUẬN VÃN THẠC sì KHOA HỌCHà Nội -

2020ĐẠI HỌC' QUÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊN• • • •Nguyễn ỉ hi ChâmNGHIÊN CỬU CHỀ TẠO VÀ KHẢO SÁ I TÍNH ('HẢ I CỦA PIN MẠT TRỜI DựA T Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

RÊN C ẤU TRÚC LAI DẤY NANOSIEIC/POLY^-ETIlYLENEDIOXYTIIlOPIiENlQiPOLYSTYRENESULFONATE/GRAPHENChuyên ngành: Vật lý chất rănMà số: 8440130.02LUẬN VÂN TH

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

ẠC sì KHOA HỌCNGƯỜI IIƠỚNG DÀN KHOA HỌC:TS. Phạm Vãn TrinhPGS.TS. Lê Tuấn TúHà Nội - 2020LỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan ban luận văn này là công trinh n

https: //k hot h u vien .comĐẠI HỌC QUÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG BẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền I lli ChainNGHIÊN CỨU C HẼ TẠO VÀ KHAO SẤT TÍNH C HẤT C ỨA P

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen ội hoàn thành dưới sự hướng dần của TS. Phạm Vãn Trình và PGS.TS. Lê 'l uân Tú. Bàn luận vãn không sao chép từ bất kỳ' tài liệu nào. Neu bàn luận văn

này dược sao chép từ bat kỳ tài liệu nào lôi xin hoàn loàn chịu trách nhiệm trước đon V ị đào lạo và pháp luật.Hà Nội. ngày 20 tháng 11 năm 2020Học Vi Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

ênNguyen Thị ChâmLỜI CẢM ƠNVới lòng biết ơn sâu sắc, em xin chân thành cảm ơn PGS.TS. Lê Tuấn Tủ vả TS. Phạm Vãn Trinh, nhùng người đà trực liếp giao

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

đề lài và lận tình hưởng dẫn em hoàn thành luận văn nảy.Em xin chân thành cam ơn toàn thê cán bộ trong phòng Vật liệu Cácbon nanô, Viện Khoa học Vật l

https: //k hot h u vien .comĐẠI HỌC QUÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG BẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền I lli ChainNGHIÊN CỨU C HẼ TẠO VÀ KHAO SẤT TÍNH C HẤT C ỨA P

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen cl ơn đối với các thay cò giáo thuộc Khoa Vật lý, Trường Đại học Khoa học l ự nhiên, Đại học Quoc Gia I lã Nội dà chi báo và giang dạy cm trong SUÔI n

hùng năm học qua cùng như việc hoàn thành luận văn nảy.lôi cũng xin gừi lời câm ơn den (ÌS. Naoki 1 ukata tại viện NI MS, Nhật Bàn đà luôn san sàng un Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

g hộ, giúp đờ lôi thực hiện một so phép đo \ à khao sát tính chắt vật liệu phục VII cho luận vãn.Nội dung cua luận s ăn là một phân công V iệc cua đê

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen

lài Dộc lập Ire cap Viện I làn lâm Khoa học vả (ong nghệ Việt Nam mà so ĐI.n'00.03/19-20 vã dề tài Natbsted mà số 104.06-2018.34Cuối cùng, xin được bà

https: //k hot h u vien .comĐẠI HỌC QUÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG BẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền I lli ChainNGHIÊN CỨU C HẼ TẠO VÀ KHAO SẤT TÍNH C HẤT C ỨA P

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly 3,4 ethylenedioxythiophene polystyrene sulfonate graphen yền Thị Châm

https: //k hot h u vien .comĐẠI HỌC QUÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG BẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền I lli ChainNGHIÊN CỨU C HẼ TẠO VÀ KHAO SẤT TÍNH C HẤT C ỨA P

Gọi ngay
Chat zalo
Facebook