Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỪ NHỦ VÀNG (Khố 210 X 297 mBỘ GIÁO DỤCVIỆN HÀN LÂMVA ĐAO TẠOKHOA HỌC VÀ CỒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOxA HỌC VÀ CÔNG NGHỆnzz 5 oNgu Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. uyễn Ngọc LinhTÊN ĐÈ TÀI LUẬN VĂNNGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BÂNG PHƯƠNG PHÁP THIÊU KẾT DÒNG XUNG PLASMAXzLUẬN VĂN THẠC sì Chuyên ngành: vật ỉý chat runHà Nội - 2022BỘ DỤCVIỆN HÀN LÂMVA ĐAO TẠOkhoa học và công nghệ VNHỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆNguyễn Ngọc LinhT Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. ÊN ĐÈ TÀI LUẬN VĂN NGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BẢNG PHƯỜNG PHÁP THIÊU KẼT DÒNG XUNG PLASMAChuyên ngành : Vật lý chNghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
ất rắn Mã số: 8440104LUẬN VĂN THẠC sĩ NGÀNH VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DẰN KHOA HỌC : TS. Lương Văn ĐươngHà Nội -2022ỉLỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan đẽ tài nghiêMẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỪ NHỦ VÀNG (Khố 210 X 297 mBỘ GIÁO DỤCVIỆN HÀN LÂMVA ĐAO TẠOKHOA HỌC VÀ CỒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOxA HỌC VÀ CÔNG NGHỆnzz 5 oNgu Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. êt quá nghiên cứu đám báo trung thực và khách quan nhất. Đồng thời, kẽt quá này chưa từng xuất hiện trong bát cú' một nghiên cứu nào. Các sô liệu, kết quà nêu trong luận vàn là trung thực nêu sai tôi hoàn chịu trách nhiệm.Tác giả luận vănNguyễn Ngọc LinhiiLỜI CẢM ƠNLời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. biết ơn đên TS. Lương Vãn Đương đà dành cho tôi nhùng định hướng khoa học hiệu quả, sự động viên và giúp đờ tận tình trong suôt quá trình thực hiện luNghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
ận vãn này.Tôi xin trân trọng cám ơn sự giúp đờ và tạo điêu kiện thuận lợi của cơ sờ đào tạo là Học viện Khoa học và Công nghệ cùng Viện Khoa học vật MẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỪ NHỦ VÀNG (Khố 210 X 297 mBỘ GIÁO DỤCVIỆN HÀN LÂMVA ĐAO TẠOKHOA HỌC VÀ CỒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOxA HỌC VÀ CÔNG NGHỆnzz 5 oNgu Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. rợ kinh phí cùa Nhiệm vụ hợp tác quốc tế giữa Viện Khoa học vật liệu (IMS) với Viện Khoa học Công nghệ tiên tiến Hàn Quốc (KAIST), Mà số QTKRO 1.02/19-20. Công việc thực nghiệm được thực hiện tại Phòng vật liệu kim loại tiên tiến, Viện Khoa học vật liệu.Tôi xin gửi lời càm ơn đến TS. Trần Bào Trung, Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. TS. Hyoseop Kim, các đồng nghiệp tại Viện Khoa học vật liệu và Viện Công nghệ công nghiệp Hàn Quốc (KITECH) đã giúp đỡ tôi trong quá trình thực hiệnNghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.
luận văn cao học.Sau cùng, tôi muôn gửi tới tầt cả nhừng người thân trong gia đình và bạn bè lời cảm ơn chân thành nhãt. Chính sự tin yêu mong đợi củaMẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỪ NHỦ VÀNG (Khố 210 X 297 mBỘ GIÁO DỤCVIỆN HÀN LÂMVA ĐAO TẠOKHOA HỌC VÀ CỒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOxA HỌC VÀ CÔNG NGHỆnzz 5 oNguMẢU BÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỪ NHỦ VÀNG (Khố 210 X 297 mBỘ GIÁO DỤCVIỆN HÀN LÂMVA ĐAO TẠOKHOA HỌC VÀ CỒNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOxA HỌC VÀ CÔNG NGHỆnzz 5 oNguGọi ngay
Chat zalo
Facebook