(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen
(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen
ĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền Thị ChâmNGHIÊN cứu C HÉ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẮT CỬA PIN MẠ I I RỜI DỤ A TRÊN CẢU TRÚC (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen I.AI DẤY NANO S1L1C/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTH1OPHENE):POLYSTYRENE SUL1ONATE/GRAPHENLUẬN VÃN THẠC sì KHOA HỌCHà Nội - 2020ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền 1 hi ChâmNCỈIIIÊN CỬU CHỀ TẠO VÀ KHẢO SẤT TÍNH CHẢI CÙA PIN MẠT TRỜI DựA TRÊN CẮU TRÚC LAI DẤY NANOSĨLIC/POLY(3?4-ETH (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen YLENEDIOXYTHĨOPHENE):POLYSTYRENESUL1ONATE/GRAPHENChuyên ngành: Vật lý chat ranMã số: 8440130.02LUẬN VÃN THẠC sì KHOA HỌCNGƯỜI HƯỚNG DÀN KHOA HỌC:TS. P(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen
hạm Văn TrìnhPGS.TS. Lê Tuấn TúHà Nội - 2020LỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan ban luận văn này là công trinh nghiên cứu do chỉnh lôi -học viên Nguyền Thị CĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền Thị ChâmNGHIÊN cứu C HÉ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẮT CỬA PIN MẠ I I RỜI DỤ A TRÊN CẢU TRÚC (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen Vãn Trình và PGS.TS. Lê Tuan Tú. Bân luận vãn không sao chép từ bat kỳ' tài liệu nào. Neu bàn luận văn này dược sao chép từ bất kỳ tài liệu não lôi xin hoàn loàn chịu trách nhiệm trước đon Vị đào lạo và pháp luật.Hà Nội. ngày 20 tháng 11 năm 2020Học VicnNguyen Thị ChâmLỜI CẢM ƠNVới lòng biết ơn sâu (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen sắc, em xin chân thành cám ơn PGS.TS. I.è Tuấn Tú và TS. Phạm Văn Trình, nhùng người đà trực liếp giao đề lài và tận tình hướng dẫn em hoàn thành luận(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen
văn này.Em xin chân thành cam ưn toàn thê cán bộ trong phòng Vật liệu Cácbon nanô, Viện Khoa học Vật liệu đà cung cấp CƯ sư vật chat và chi bao lận lĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền Thị ChâmNGHIÊN cứu C HÉ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẮT CỬA PIN MẠ I I RỜI DỤ A TRÊN CẢU TRÚC (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen ý, 'Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Ilả Nội dà chi báo và giang dạy cm trong SUÔI nhùng năm học qua cùng như việc hoàn thành luận văn này.Tôi cùng xin gửi lời câm ơn den GS. Naoki 1 ukata tại viện NIMS, Nhật Bàn đà luôn san sàng ung hộ, giúp đờ lòi thực hiện một so phép đo V à kha (Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen o sát tính chất vật liệu phục vụ cho luận vãn.Nội dung cua luận văn là một phân công V iệc cua đê lài Dộc lập tre cấp Viện llàn lâm Khoa học và (’ông(Luận văn thạc sĩ) nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen
nghệ Việt Nam mẵ so ĐI. Tl 4)0.03/19-20 vã dề tài Naíbsted mà số 104.06-2018.34Cuối cùng, xin được bày to lình cam tới những người thân trong gia đinhĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền Thị ChâmNGHIÊN cứu C HÉ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẮT CỬA PIN MẠ I I RỜI DỤ A TRÊN CẢU TRÚC ĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền Thị ChâmNGHIÊN cứu C HÉ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẮT CỬA PIN MẠ I I RỜI DỤ A TRÊN CẢU TRÚCGọi ngay
Chat zalo
Facebook