Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: WORD

Số trang: 58 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyễn Thị ChâmNGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHÁO SÁT TÍNH CHẤT CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN CẤU TRÚC LAI

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen DÂY NANOSILIC/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTHIOPHENE):POLYSTYRENESULFONATE/GRAPHENLUẬN VĂN THẠC sì KHOA HỌCHà Nội - 2020ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌ

C KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyen Thị ChâmNGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHÃT CỦA PIN MẶT TRỜI DỰA TRÊN CÃU TRÚC LAI DÂY NANOSILIC/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXY Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

THIOPHENE):POLYSTYRENE SULFONATE/GRAPHENChuyên ngành: Vật lý chất rânMã số: 8440130.02LUẬN VĂN THẠC sì KHOA HỌCNGƯỜI HƯỚNG DẰN KHOA HỌC:TS. Phạm Văn T

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

rìnhPGS.TS. Lê Tuân TúHà Nội - 2020LỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan bàn luận văn này là công trình nghiên cứu do chính tôi -học viên Nguyền Thị Châm, chuy

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen à PGS.TS. Lê Tuãn Tú. Bản luận văn không sao chép từ bãt kỳ tài liệu nào. Nếu bàn luận văn này được sao chép tù’ bất kỳ tài liệu nào tôi xin hoàn toàn

chịu trách nhiệm trước đơn vị đào tạo và pháp luật.Hà Nội, ngày 20 tháng 11 năm 2020Học ViênNguyên Thị ChâmLỜI CĂM ƠNVới lòng biết ơn sâu sắc, em xin Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

chân thành cảm ơn PGS.TS. Lê Tuân Tú và TS. Phạm Văn Trình, nhũìig người đà trực tiếp giao đề tài và tận tình hướng dân em hoàn thành luận văn này.Em

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

xin chân thành cầm ơn toàn thế cán bộ trong phòng Vật liệu Cácbon nanô, Viện Khoa học Vật liệu đà cung cấp cơ sở vật chất và chi bào tận tình em tron

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen ại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Hà Nội đã chỉ bảo và giáng dạy em trong suốt những năm học qua cùng như việc hoàn thành luận văn này.Tôi cù

ng xin gửi lời cảm ơn đêìi GS. Naoki Fukata tại viện NIMS, Nhật Bàn đà luôn sần sàng ủng hộ, giúp đờ tôi thực hiện một số phép đo và khảo sát tính chấ Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

t vật liệu phục vụ cho luận văn.Nội dung của luận vãn là một phân công việc của đề tài Độc lập trẻ cấp Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam mâ

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

số ĐLTE00.03/19-20 và đề tài Nafosted mã số 104.06-2018.34Cuối cùng, xin được bày tỏ tình cảm tới nhũìig người thân trong gia đình, các bạn trong tập