KHO THƯ VIỆN 🔎

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

➤  Gửi thông báo lỗi    ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu:     PDF
Số trang:         104 Trang
Tài liệu:           ✅  ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT
 













Nội dung chi tiết: Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỎNG NGHỆ SÀI GÒNHướng (lẫnTHÍ NGHIÊM ĐIÊN TỬ 2STU 10-2015 TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘMỤC LỤCBài 1: MẠC H KHUẾCH DẠ

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài GònẠI DỦNG BJT..............1Bùi 2: GHÉP TANG khi Ếch dại..................13Bài 3: M MẠCH OP-A.MP.......................20Bài 4: DIỀU KHIỂN NHIỆT DỘ....

..............32Bài 5: HIẾU KIIIỄN pha......................45Bài 6: CHÌNH Ltfu CHỈNH XẤC...................63Bài 7: MỊCH LỌC TÍCH cực................ Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

....78Bài 8: VI MẠCH 555..........................90STƯ 10-2015 TÀI LIỆU Lưu HÀNH NỘI BỘhttps: //k hot h uv ie n .com1€■> MẠCH KHUECH ĐẠI DUNG BJTPHẤN

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

1 : NHŨNG KIEN THÚC LIÊN QUAN ĐEN thí nghiệm1MỤC ĐÍCH CỦA THÍ NGHIỆMMục đích của thi nghiệm này giúp sv hiểu và vận dụng được các kiến thức sau :■Cãc

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỎNG NGHỆ SÀI GÒNHướng (lẫnTHÍ NGHIÊM ĐIÊN TỬ 2STU 10-2015 TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘMỤC LỤCBài 1: MẠC H KHUẾCH DẠ

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòna các dạng mạch KĐ ghép C-E; C-C và C-B.■Kháo sát hiện tượng méo phi tuyến trong mạch KĐ.2NHŨNG KIẾN THỨC LIÊN QUAN2.1Chế độ khuếch dại cúa Transiosto

r và vai trò cúa phản cực DCTrong phán lý thuyết lién quan ớ bái 1. ta đà giới thiệu một só vân đề cơ bán đói với Transistor. Trong bãi thí nghiệm nãy Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

, lý thuyết liên quan chủ yếu là chế độ khuếch đại cùa Transistor và vấn đẻ méo phi tuyến.Như dã biết trong bài 1. chế độ khuếch đại của Transistor là

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

chế độ làm việc mà dóng điện trên cực c (dòng Ic) khác 0 nhưng chưa đạt mức tói đa. Khi đó nếu có sự biên thiên cũa dỏng cực B (dòng Ik) thì lc sè bi

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỎNG NGHỆ SÀI GÒNHướng (lẫnTHÍ NGHIÊM ĐIÊN TỬ 2STU 10-2015 TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘMỤC LỤCBài 1: MẠC H KHUẾCH DẠ

Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gònạch diện sau với cãc điện trớ Rc, R| dược mắc nôi tiếp với Transistor.Ta có phương trình :Vf<; =JC.RC + VCE+IE.RF=>VrF^VfC-lc.Rc-IF.Rr (*)Giá sứ Trans

istor đang lâm việc ỡ chẻ đọ khuếch đại, ta có mối quan hệ:Ic = p.ỈĐ vã 1e - lc + Iđ = (p+1 ).1b1Mạch khuếch đại dùng BJT ỉíai 1 Hướng dẫn thí nghiệm điện tử 2 Trường ĐH Công nghệ Sài Gòn

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC CỎNG NGHỆ SÀI GÒNHướng (lẫnTHÍ NGHIÊM ĐIÊN TỬ 2STU 10-2015 TÀI LIỆU LƯU HÀNH NỘI BỘMỤC LỤCBài 1: MẠC H KHUẾCH DẠ

Gọi ngay
Chat zalo
Facebook