Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửtals of Microelectronics Processing. 3rd Ed., McGraw-Hill; USA; 1990.2STEPHEN BROWN and ZVONKO VRANESIC, Fundamentals of Digital Logic with VHDL Design. 3rd Ed.. Mc.Graw-Hill, 2000.3SUNG-MO KANG and YUSUF LEBLEBICI, CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and Design. Mc.Graw-Hill, 2005.4DANCLEIN. Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện TửCMOS IC Layout Newnes, 2000.5DAVID A. HODGES. HORACE G. JACKSON. RESVE A. SALEH. Analysis and Design of Digital Integrated Circuits in Deep SubmicronBài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
Technology, Mc.Graw-Hill. 2003.CwOxocTtaCcGicccnmpj: fb con txử)?xtet0KinCHƯƠNG 1. Cơ SỜ CÔNG NGHẸ MẠCH TÍCH HỢP• • •§1.1 Các mạch tích hợpCác mạch tíBÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửn dẫn nhỏ (diên hình là Si), các phần nì được nổi vối nhan nhò các vật liệu kim loại được phủ trên bề mặt của chip. Cãc vật liệu kim loại đóng, vai trò như các " wireless wires". Ý níổng này lần dầu tiên được đưa ra bói Dummer nam 1952. Các mạch tích hợp dầu tiên được phát minh bởi Kilby. 1958.Các m Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửạch tích hợp về co bân được chia thành 2 loại chinh: analog (hay linear) và digital (hay logic). Các mạch tích hợp tương ni hoặc khuếch đại hoặc đáp úBài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
ng các điện áp biến đổi. Tiêu biểu là các mạch khuếch đại, timers, dao động và các mạch điểu khiên điện áp (voltage regulators). Các mạch sổ tạo ra hoBÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửn loại theo công nghệ ché tạo: monolithic hoác hybrid. Trong khôn khỏ’ giáo trình này chúng ta chỉ ngiên cứu loại thứ nhát.Quy mõ của sự tích họp của các mạch tích họp trên sơ sổ Silicon đã tang lên rắt nhanh chóng nì thế hệ đầu tiên đuỢc chế tạo bổi Texas Instruments năm 1960 với tên gọi SSI (Small Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử Scale Integration) đến thế hệ mói ƯLSI. Hiện nay cõng nghệ CMOS với minimum device dimension ( khoảng cách gate to gate) đạt tới cồ vài chục lim (0.6Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
5, 0.45).Khuynh hướng chù dạo trong việc giảm nhỏ kích thước linh kiện trong công nghệ mạch tích họp là giám chi phi cho cùng một chúc mãng, giám tiêuBÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửai khuynh hướng trẽn, còng nghệ xú lý vi điện nỉ luôn phải được cải tiến.Các cõng nghệ IC chủ yếu hiên nay là công nghệ MOS và cõng nghệ BJT cho Silicon và MES cho gallium arsenide.C:iOxBài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
?cUGL'RE 1-2pjaiw aad tóCiional view of a MO$ ttruc’.ure (Hodges and Jackson, 1983|lCwI>xnxĩbiiC«ij.«c>!u>ps: ft>.c«n tnbrsScttcxưỉ§1.2 Bán dần và cácBÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử) trong các liên két cọng hóa tri (covalent bond) giùa các nguyên nì lãn cận. Một chát bân dẫn cớ thề’ được định nghĩa như lã một vật liệu cớ (tộ dẫn điện có thế điều khiển được. trong khoảng trung gian giũa diện mòi và kim loại. Khả năng thay dổi độ dần của Si trong khoảng nhiều bậc cớ thề’ được th Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửực hiện bởi việc đưa vào mạng tinh thẻ* Si các nguyên nì tạp chát hóa trị 3 như Boron hoặc hóa trị 5 nhu Phosphorus, chúng dược gọi là các dopant hoặcBài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
là các tạp chát mong muon. Quá trinh này gọi là quá trình pha tạp hay doping. Các bán dần sạch được gọi lã bán dần thuần hay intrinsic, các bán dẫn pBÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửãn cận. diện nì thứ 5 của nguyên tủ tạp có liên kết lỏng lẻo với hạt nhàn và có thể chuyển động tương đối dề dàng trong mạng tinh thể Si. Dạng bán dần này được gi là bán dẫn loại-n. và tạp nhóm 5 được gọi là tạp donor. Nếu pha tạp nhóm 3 (chang hạn B) vào Si thì 3 điện nỉ lớp vó của nguyên nỉ tạp li Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửên két cọng hóa trị với các điện tủ lớp vỏ của các nguyên tứ Si Lãn cận do đó có thế coi lớp vỏ của nguyên tủ tạp có 7 điện nì. và bị trống một điện nBài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
í. Vị tri liên kết khuyết này được gọi la một lỗ trổng (hole). Một điện tú tủ nguyên nỉ Si gần đõ có thế "rơi" vào chỗ trổng này và lỗ trống được xem BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửchuyến sè mang theo chúng các điện tích âm và dương nên dược gọi là các hạt tải. Các chát bán dẫn có thể ỏ dạng nguyên tổ (nhu Si. Ge) hoặc hợp phần, số diện tú trung, binh trên một nguyên tủ thưòng bằng 4. ngoại trữ trường hợp các bán dẫn Av-Bn.Một bán dẫn thuần thường là diện mói trù khi nó đuỢc k Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửích thích nhiệt hoặc quang, Nếu kích thích đủ mạnh nó có thê’ trờ thành dần diện. Các mức nàng lượng khả dì của diện tử là rời rạc vã sự kích thích sẽBài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tử
lãm cho các diên tủ có thẻ’ nhẩy lẽn mức nàng lượng cao hơn. Vi chát bán dần có thể là diện môi hay dẫn điện tùy thuộc vào múc độ kích thích, nên có BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. Fundament Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện Tửi là khe năng lượng - energy gap). Khe năng lượng, thay đổi tù 0.18 eV cho InSb tới 3.6 eV cho Z11S. Các vật dẫn như kim loại không có khe nang lượng nên có thể dẫn diện khi có hoặc không có kích thích. Các chát cách diện có khe năng lượng lớn đến múc không dẫn điện ngay cả khi kích thích mạnh. Khi Bài Giảng Môn Học Công Nghệ Vi Điện TửBÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHẸ VI ĐIÊN TỬCredits: 2Prerequisites:- Semiconductor Devices- Microelectronic Circuit DesignREFERENCES1HONG H. LEE. FundamentGọi ngay
Chat zalo
Facebook