Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: WORD

Số trang: 73 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

MÃUBÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVIỆN hàn LâmVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ0 > 2 o ẹ*<2

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. 22 Ọ •o nr —M 2—Nguyễn Ngọc LinhTÊN ĐÈ TÀI LUẬN VĂNNGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BẢNG PHƯƠNG PHÁP THIÊU KẾT DÒNG XUN

G PLASMALUẬN VĂN THẠC sì Chuyên ngành: Vội ìý chât rủnhjPN hjHà Nội - 2022BỘ 61 Áo DỤCVIỆN HẬN LÂMVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VNHỌC VIỆN KHOA HỌC Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

VÀ CÒNG NGHỆNguyễn Ngọc LinhTÊN ĐỀ TÀI LUẬN VÀN NGHIÊN CỨU CHẼ TẠO VẬT LIỆU CACBIT ENTROPY CAO HỆ (HfZrTaNbTi)C BẰNG PHƯỜNG PHÁP THIÊU KẼT DÒNG XUNG

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

PLASMAChuyên ngành : Vật lý chất rân Mà số: 8440104LUẬN VĂN THẠC sĩ NGÀNH VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DÂN KHOA HỌC : TS. Lương Văn ĐươngHà Nội - 2022iLỜI CAM ĐO

MÃUBÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVIỆN hàn LâmVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ0 > 2 o ẹ*<2

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma. nghiên cứu. Chính vì vậy', các kẽt quà nghiên cứu dám bào trung thực và khách quan nhât. Đồng thời, kẽt quà này' chưa từng xuât hiện trong bât cứ một

nghiên cứu nào. Các sô liệu, kẽt quà nêu trong luận văn là trung thực nẽu sai tôi hoàn chịu trách nhiệm.Tác già luận vănNguyễn Ngọc LinhiiLỜI CẢM ƠNLờ Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

i đâu tiên, tôi xin bày tỏ lòng biẽt ơn đẽn TS. Lương Văn Đương đã dành cho tôi nhùng định hướng khoa học hiệu quà, sự động viên và giúp đờ tận tình t

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cacbit entropy cao hệ (HfZrTaNbTi)C bằng phương pháp thiêu kết dòng xung plasma.

rong suôt quá trình thực hiện luận văn này.

MÃUBÌA LUẬN VĂN CÓ IN CHỮ NHŨ VÀNG (Khổ 210 X 297BỘ GIÁO DỤCVIỆN hàn LâmVA ĐAO TẠO KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VN HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ0 > 2 o ẹ*<2