KHO THƯ VIỆN 🔎

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

➤  Gửi thông báo lỗi    ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu:     PDF
Số trang:         150 Trang
Tài liệu:           ✅  ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT
 













Nội dung chi tiết: Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỬ VIÉT TÁTX, y, z: S: V: T:phương X, y. z của trục tọa độ Descartes diện tích. định thức Slater thể tích nhiệt độn(r):mật độ

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều ộ hạtE:Năng lượngM:môinen tứm': kB : T:khối lượng hiệu dụng hãng sỏ Boltzman động năngn,m,ì: D:số lượng tử mật độ trạng thái&hàm Deltaự/:hàm sóng hàm

sóng điện tửx:hàm sóng hạt nhãnơ: p:độ dan điện điện trở suấtR:tọa độ hạt nhãnr: f:tọa độ điện tử thời gianMu;khối hrợng cùa hạt nhân thứ nZu:điện tíc Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

h của hạt nhãn thử 11^Elec'- Vei n0: Ẽee-Exc-. tì:nâng lượng điện tử thế ngoài mật độ hạt ỡ trạng thái cơ bân nâng lượng ứng với tương tác điện tữ-điệ

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

n tử nàng lượng trao đói tương quan Hamiltonianhệ số nhãn Lagrangevxc: Vks- vèff. sr. Ị-split.thế trao đồi tương quan thế Kohn-Sham hàm sóng giã thế h

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỬ VIÉT TÁTX, y, z: S: V: T:phương X, y. z của trục tọa độ Descartes diện tích. định thức Slater thể tích nhiệt độn(r):mật độ

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều hoa họcCN:còng nghệ1CMS:khoa học vật liệu tính toán (computational materials science)WZ:WurtziteZB:ZincblendeNW:dày nano không thụ dộng hóa (unpassiva

ted nanowire)NWP:dày nano dược thụ dộng hóa (passivated nanowire)OD;không chiều (0 dimension)ID:mọt chiều (1 dimention)2D:hai chiêu (2 dimension)3D:ba Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

chiều (3 dimension)Dll’:phương pháp lý thuyết pliiếm hãm mặt độ (Density Functional Theory)DFTB:phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật dọ kết hợp với gầ

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô phỏng động lực phân tử các cấu trúc và các vật liệu nano bán dẫn thấp chiều

n dũng liên kết chặt (Density Functional based Tight-Binding)VASP:The Vienna Ab initio simulation packageSCC-DFTB:phương pháp lý thuyết phiếm hãm mật

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỬ VIÉT TÁTX, y, z: S: V: T:phương X, y. z của trục tọa độ Descartes diện tích. định thức Slater thể tích nhiệt độn(r):mật độ

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỬ VIÉT TÁTX, y, z: S: V: T:phương X, y. z của trục tọa độ Descartes diện tích. định thức Slater thể tích nhiệt độn(r):mật độ

Gọi ngay
Chat zalo
Facebook