Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
BỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy OR NHÁP NHÁY BANG PHƯƠNG PHÁP MONTE CARLOThuyên ngành: Vật lý nguyên từ, hạt nhân và năng lượng caoMà số: 60.44.05LUẬN VĂN THẠC sĩ VẬT LÝNGƯỜI HƯỚNG DÃN KHOA HỌC:PGS.TS. NGUYỀN MINH CÁOTHÀNH PHỔ HỎ CHÍ MINH - 2010LỜI CẢM ƠNĐề hoàn thành luận văn này. tòi đà nhận được sự hướng dẫn. giúp đờ và dộng vi Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy ên rất lớn từ quý thầy có. gia đinh và bạn bè. TÒI xin gửi 1Ỡ1 cám ơn chân thành đen tắt cả mọi người.Thầy PGS.TS Nguyền Minh Cão. người đã trực tiếpLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
hưởng dần tói thực hiện để tài luận vàn. dưa ra nhùng nhận xét quý giá. giúp tòi chinh sứa và hoàn thành luận văn một cách tốt nhát.Thay TS. Nguyền VăBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy hoa Vật lý. trường Đại học Sư phạm thành phố Hồ Chi Minh đà cung cấp cho tói nhùng kiến thức cân thiết cơ bân, cân thiết trong quá trinh học Đại học và Sau Đại học đẽ tôi có klià nồng hoàn thành luận văn này.Quý thầy cô và các ban giảng viên cùa bộ mòn Vật lý hạt nhân, khoa Vật lý trường Đại học Sư Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy Phạm thành pho Ho Chi Minh đằ tạo điều kiện cho tỏi đen phỏng thi nghiệm bộ môn đê thực hiên đẽ tài.Ba me tói. những người dà không ngại khó khán, giaLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
n khố. suốt đời lo lãng vả nuôi dường cho các con minh được học hãnh, bước qua giang đường đại học.Thành phố Ho Chi Minh, tháng 7 nám 2010Trần Minh TiBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy vậy, các nhà khoa học dã nghiên cứu che tạo các thiết bị ghi nhận bức xạ hạt nhân. Ban dầu, các detector chi dùng dê xác nhận sụ có mặt của chũm bức xạ lia X vã lia gamma. sau đó là xác định cường đọ cua các chúm tia nay. Ngáy nay. các detector không chi dùng lại ỡ việc phát hiện mà còn cho phép ta Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy xác dinh dặc trưng phân bố dộ cao xung theo năng lượng lia X vã tia gamma.Hiệu suãl ghi nhận bức xạ hạt nhãn cũa các detector phụ thuộc vào nhiều yểuLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
ló kliãc nhau như loại detector (detector nhấp nháy, bán dẫn,...) hay năng lượng tia bức xạ. khoảng cách từ nguồn phát bức xạ tới detector. Doi với deBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy n. hiệu suất ghi phụ thuộc vào loại bán dần như Si(Li), Ge(Li), HPGe...Việc xây dựng đường cong hiệu suất của các detector lã rat can thiết vi từ đó chúng ta có thê chọn lựa nhưng thuộc tính của detector đê tổi ini hiệu suất của detector, từ dó việc nghiên cửu sè đạt kết quà cao hơn. Cho đến nay đã Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy có nhiều còng trình nghiên cứu xày dựng đường cong liiện suất cùa detector bân dẫn. cụ thế là đối với bán dân siêu tinh khiết HPGe. nlnnig chưa xây dựLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
ng cho detector nhấp nháy. Các detector nhấp nháy hiện nay vần được sir dụng khá rộng rãi nhở những ini diêm liêng cùa nó nên việc xây dựng đường congBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy Nhờ thực nghiệm mà những kết qưã tinh toán bang lý- thuyết dược kiếm chửng về linh đúng đan cua nó. Klú kết qua lý thuyết và thực nghiệm có sự phù họp với nhau thi đó cỉiinỉi lá cơ sỡ dê tin tướng vào sự chinh xác của kết quá. Tuy nhiên không phái lúc nào các phương pháp thực nghiệm cúng dược thực h Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy iện một cách dế dàng, chính xác, nhất lã trong linh vực nghiên cứu về vật lý hạt nhân, một lình vục ma uliihig kcl qua linh loàn thương la gán đúng \aLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
mang linh chãi thõng kẽ. Chính vì lý- do dó mà ngày nay người ta thường kết hợp giữa lý thuyết và thực nghiệm trong việc nghiên cứu một van dề nào dóBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy liiiili được sư dụng khá phò biên trong nhiêu linh vực khác nhau. Việc áp dụng chương trình MCNP trong vật lý hạt nhân cũng dã dirợc thực hiện trong nhiều nãm gần dãy với các phiên bân MCNP mới ngày càng hoàn thiện hơn. Vi vậy. việc hiẽu biết ve chương trinh cùng như cách sử dụng nỏ lã một điêu het Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy sức cần thiết dối với những người làm việc trong linh vực vật lý hạt nhân.Trong dề tài luận vãn này, chương trinh MCNP4C2 dược sữ dụng để kháo sát hiLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
ệu suất ghi bức xạ hạt nhân của detecter nlrấp nháy, xem nó phụ thuộc như the nào vào kích thước hĩnh học của detector. Đây là một đề tài chưa được nhBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy hận các tia bức xạ hạt nhàn.Đối tượng nghiên cứu trong luận văn này là detector nhấp nháy Gamma - Rad và bộ nguồn phóng xạ chuẩn có tại phòng thi nghiêm vật lý hạt nhân cua trường Đại hoc Str phạm thành phố Hổ Chí Minh. Chi tiết về detector và bộ nguồn sẽ được mò tã chi tiết trong pliần sau của luận Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy văn.Phương pháp nghiên cứu của đề tài luận văn này là kết hợp giừa mò phong bằng nháy tính vồ thực nghiệm Phần mềm mò phóng được sứ dụng ờ đây là MCNLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
P4C2, đày là một trong những chương trinh mỏ phóng trẽn máy tính đáng tin cậy. ứng dụng phương pháp Monte Carlo đẻ mỏ phòng quá trình vận chuyền cua nBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTO Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy quan về những tiến bộ trong quá trinh phát triển detector ghi bữc xạ tia X vã tia gamma, co sò lý thuyết cho việc nghiên cứu dề tài. cũng như vẻ phương pháp ghi nhận bức xạ hạt nhân bàng detector nhấp nháy.X Chương 2: trình bày về phương pháp Monte-Carlo và chương trình MCNP.>Chương 3: mõ phong đầu Luận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy dò nhấp nháy, xây dựng dường cong biểu diễn sự phụ thuộc hiệu suất ghi của detector theo khoảng cách và theo nâng lượng, so sánh với thực nghiệm đe kiLuận văn thạc sĩ khảo sát sự phụ thuộc hiệu suất ghi vào kích thước hình học của detector nhấp nháy
êm tra lại độ rin cậy cùa chương trìiih MCNP và cliất lượng code đầu vào. Từ đó dùng mô phòng MCNP đề xây đựng dường cong biếu diễn sự phụ thuộc hiệu BỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTOBỌ GIAO DỤC VA ĐAO TẠOTRƯỜNG DẠI HỌC sư PHẠM THÀNH PHÓ HỎ CHÍ MINHTRẤN MINH TIÉNKHẢO SÁT Sự PHỤ THUỘC HIẸƯ SƯÁT GHI VÀOKÍCH THƯỚC HÌNH HỌC CỦA DETECTOGọi ngay
Chat zalo
Facebook