Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires

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Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires

UNIVERSITÈ DE GRENOBLETHESEDOCTEUR de L’UNIVERSITE de GRENOBLESpécialité : Physique I NanophysiqueArété ministe'iel 7 aout 2006Présentée parThanh Gian

Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires ng LE THUYThese dirigée par Henri MARIETTE codirigée par Rudeesun SONGMUANGpréparée au sein du Laboratoire Nanophysique et Semiconducteurs (CEA/INAC/S

P2M)dans I'Ecole Doctorale de PhysiqueCroissance de nanofils lll-V en épitaxie par jets moléculairesThese soutenue publiquement le « 09.07.2014 ». dev Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires

ant le jury compose de :Dr. Julien PERNOTPresidentProf. Vinh LE THANHRapporteurProf. Nikos T. PELEKANOSRapporteurDr. Julien BARJONMembreDr. Rudeesun S

Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires

ONG.Ml ANGMembreProf. Henri MARIETTEMembret ImuarvtlA latđnh PmưiarContentAcknowledgements............................................................

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Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires ..........................................................................102.1.GaAs and AlAs semiconductors..........................................

.....................112.1.1.Zinc blende-Wurtzite crystal structure..............................................112.1.2.Basics of electronic band str Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires

ucture of ALGai^As.....................................122.1.3.Excitons in semiconductors..........................................................172

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.1.4.Density of states of n-diinensional materials.......................................182.2.Molecular beam epitaxial growth of GaAs................

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Croissance de nanofils iii v en épitaxie par jets moléculaires epitaxy...............................................................23

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