Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: PDF

Số trang: 173 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

ĐẠI HỌC QƯÓC GIA TP. HCM TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỤ NHIÊNLÊ MINH TẢNNGHIÊN CỬU NHŨNG ĐẶC ĐIẺM VÀ sự NHIÊU LOẠN LỚP D TÀNG ĐIỆN LY VÙNG vĩ ĐỌ THÁP BẰNG

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf G KỸ THUẬT VLFLUẬN ÁN TIÉN Sĩ VẬT LÝTP. Hồ Chi Minh - Năm 2018ĐẠI HỌC QƯÓC GIA TP. HCM TRƯỜNG DẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNLÊ MIN H TẤNNGĨĨĨẾN cửu NHƯNG D

ẠC DĨẺM VÀ sự NHIÊU LOẠN LỚP D TẰNG DTẸN LY VÌTNG vĩ DỌ TĨĨẤP BẢNG KỲ THUẬT VLFChuyên ngành: Vật lý Địa cầuMà sô chuyên ngành: 62 44 15 01Phàn biện I: Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

PGS. IS. Phan Bào NgọcPhan biện 2: TS. Lê Huy MinhPhàn biện 3: TS. Nguyen Thanh SơnPhan biện độc lập 1: PGS. TS. Phan Bao NgọcPhan biện độc lập 2: TS

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

. Lè Huy MinhNGƯỜI HƯỚNG DẢN KHOA HỌC1TS. Nguyen Ngọc Thu2TS. Trằn Quốc HàTP. Hồ Clìí Minh - Năm 2018LỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan đây là công trinh ng

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf đản. sô liệu của các trạm quan trắc khác đưực sứ dụng trong luận án dều có sụ dồng ỳ và thực hiện theo chinh sách sir dụng số liệu của các trạm quan

trắc này. sô liệu quan sát tại đại học l ầy Nguyên và các kèl quá nêu trong luận án chua dược ai công bố trên các tài liệu và cõng trinh nào khác.rác Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

giáuLỜI CẢM ƠNTrong suốt thời gian thực hiện luận án. TS. Nguyễn Ngọc Thu vả TS. Trằn Quốc Hà với vai trò người hướng dản chuyên môn đà động vicn tinh

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

thẩn và giành nhiều thời gian, công sức. trí tuệ hưởng dần cho tác giá. Bằng sự nhiệt huyết, các thầy cò hướng dần dà sưa chừa kịp thời nhùng sai sót

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf oil chân thành đen PGS. TS. Nguyền Thành Van và loàn thê cán bộ Bộ môn Vạt lý Địa câu. Khoa vật lý và vật lý Kỳ thuật, Trường ĐII KIITN Tp. IIỒ Chi Mi

nh dà ung hộ. dộng viên, giúp dò về mọi mặt dè tác gia hoàn thánh các khóa học bố sung kiến thức vã tạo diều kiện tốt nhất dế tác giá thực hiện luận á Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

n. Tác gia xin cám ơn dến các bạn. dồng nghiệp cua Bộ mòn Vật lý và Khoa KH IN&CN trường DH rây Nguyên đà giúp đờ. động vicn và lạo điêu kiện vê mật t

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

hôi gian đê lác giã yên lâm thực hiện luận án.Tãc gia xin chân thành cam ơn dến Phòng Vật lý Khí quyên vã Vù trụ - Viện Vật lý. Tp. IIỔ Chi Minh, phòn

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf ường giừa Trái đâl và Vù trụ (1SEE) - Dại học Nagoya, Nhật Bân đà cung câp sô liệu E1.1-7V1.1' cho luận án đẽ thực hiện việc so sánh, dánh giá dộ tin

cậy cùa số liệu dề tải.Cuối cùng, tác gia xin cam ơn sâu sắc các thành viên trong gia dinh dã dồng hành, ung hộ. dộng viên to lớn về tinh thằn trong s Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

uốt thời gian qua.iiiMỤC LỤCTRANG PHỤ BÌA................................................iLỜI CAM DO AN...............................................

Nghiên cứu những đặc điểm và sự nhiễu loạn lớp d tầng điện ly vùng vĩ độ thấp bằng kỹ thuật vlf

iiLÒI CẢM ƠN.................................................iiiMỤC LỤC.....................................................iv