Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: PDF

Số trang: 57 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

ĐẠI HỌC QƯÓC GIA HÀ NỘITRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền Thị ChâmNGHIÊN cứu C HÉ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẮT CỬA PIN MẠ I I RỜI DỤ A TRÊN CẢU TRÚC

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen I.AI DẤY NANO S1L1C/POLY(3,4-ETHYLENEDIOXYTH1OPHENE):POLYSTYRENE SUL1ONATE/GRAPHENLUẬN VÃN THẠC sì KHOA HỌCHà Nội - 2020ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘITRƯỜNG

ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊNNguyền 1 hi ChâmNCỈIIIÊN CỬU CHỀ TẠO VÀ KHẢO SẤT TÍNH CHẢI CÙA PIN MẠT TRỜI DựA TRÊN CẮU TRÚC LAI DẤY NANOSĨLIC/POLY(3?4-ETH Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

YLENEDIOXYTHĨOPHENE):POLYSTYRENESUL1ONATE/GRAPHENChuyên ngành: Vật lý chat ranMã số: 8440130.02LUẬN VÃN THẠC sì KHOA HỌCNGƯỜI HƯỚNG DÀN KHOA HỌC:TS. P

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

hạm Văn TrìnhPGS.TS. Lê Tuấn TúHà Nội - 2020LỜI CAM ĐOANTôi xin cam đoan ban luận văn này là công trinh nghiên cứu do chỉnh lôi -học viên Nguyền Thị C

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen Vãn Trình và PGS.TS. Lê Tuan Tú. Bân luận vãn không sao chép từ bat kỳ' tài liệu nào. Neu bàn luận văn này dược sao chép từ bất kỳ tài liệu não lôi xi

n hoàn loàn chịu trách nhiệm trước đon Vị đào lạo và pháp luật.Hà Nội. ngày 20 tháng 11 năm 2020Học VicnNguyen Thị ChâmLỜI CẢM ƠNVới lòng biết ơn sâu Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

sắc, em xin chân thành cám ơn PGS.TS. I.è Tuấn Tú và TS. Phạm Văn Trình, nhùng người đà trực liếp giao đề lài và tận tình hướng dẫn em hoàn thành luận

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

văn này.Em xin chân thành cam ưn toàn thê cán bộ trong phòng Vật liệu Cácbon nanô, Viện Khoa học Vật liệu đà cung cấp CƯ sư vật chat và chi bao lận l

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen ý, 'Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc Gia Ilả Nội dà chi báo và giang dạy cm trong SUÔI nhùng năm học qua cùng như việc hoàn thành luận v

ăn này.Tôi cùng xin gửi lời câm ơn den GS. Naoki 1 ukata tại viện NIMS, Nhật Bàn đà luôn san sàng ung hộ, giúp đờ lòi thực hiện một so phép đo V à kha Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

o sát tính chất vật liệu phục vụ cho luận vãn.Nội dung cua luận văn là một phân công V iệc cua đê lài Dộc lập tre cấp Viện llàn lâm Khoa học và (’ông

Nghiên cứu chế tạo và khảo sát tính chất của pin mặt trời dựa trên cấu trúc lai dây nano silic poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate graphen

nghệ Việt Nam mẵ so ĐI. Tl 4)0.03/19-20 vã dề tài Naíbsted mà số 104.06-2018.34Cuối cùng, xin được bày to lình cam tới những người thân trong gia đinh