MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM)
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM)
MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM)
r1IĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HÒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC ÁCH KHOAKHOAĐIẸN-Đ ;N TỬ—-000—MÔN THIẾT KÊ VI MẠCH số-ĐẼ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cậ MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM) ập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory - RRAM)GVHD: TS. Trần Hoàng Linh Sinh viên thực hiện:STTHỌ VÀ TÊNMSSV1Nguyễn Đức Tiến17118972Nguyễn Đình Tuấn18126913Trân Đình Kiên17128264Nguyễn Trung Kiên1712829-■' ỉ í /CMỤC LỤCLỜI GIỚI THIỆU..........................................................1PHÀ MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM) N I: TÕNG QUAN BỘ NHỚ KHỐNG KHẢ BIẼNVÀ BỘ NHỚ ĐIỆN TRỞ TRUY CẬP NGÂU NHIÊN..................................2I.Bộ nhớ điện tĩnh (Non-volatile memory -MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM)
NVM)........................21.1.Tổng quan chung....................................................21.2.Phân loại công nghệ bộ nhớ trạng thái rân...r1IĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HÒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC ÁCH KHOAKHOAĐIẸN-Đ ;N TỬ—-000—MÔN THIẾT KÊ VI MẠCH số-ĐẼ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cậ MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM) chuyến mạch điện trờ(Resistance Switching Materials).......................................1011.2.Chẽ độ chuyên mạch điện trờ......................................1411.3.Cơ chẽ chuyên mạch điện trở......................................1411.3.1.Phàn úng oxy hóa khử và sự dichuyên của các ion cation MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM) (CBRAM)......................................1411.3.2.Phàn ứng oxy hóa khử và sựdi chuyên cùa các ion anion (OxRRAM)..................................MÔN THIẾT KẾ VI MẠCH SỐ ĐỀ TÀICông nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory – RRAM)
.1511.4.Đặc tính của bộ nhớ điện trở truy cập ngầu nhiên (RRAM)..........16r1IĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HÒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC ÁCH KHOAKHOAĐIẸN-Đ ;N TỬ—-000—MÔN THIẾT KÊ VI MẠCH số-ĐẼ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cậr1IĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HÒ CHÍ MINHTRƯỜNG ĐẠI HỌC ÁCH KHOAKHOAĐIẸN-Đ ;N TỬ—-000—MÔN THIẾT KÊ VI MẠCH số-ĐẼ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cậGọi ngay
Chat zalo
Facebook