ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạm

Loại tài liệu: WORD

Số trang: 50 Trang

Tài liệu: ✅ ĐÃ ĐƯỢC PHÊ DUYỆT

TẢI VỀ

Nội dung chi tiết: ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

Đê Cương Cơ Sớ Thiết Kê VLSII.LÝ THUYẾT1.Layout và chê tạo CMOS: Mặt cắt ngang cõng đảo. Quá trình chê tạo.2.Các chẽ độ làm việc của MOS transistor.3.

ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã .Chế tạo NMOS và PMOS.4.Quan hệ giừa dòng điện và diện áp.5.Công nghệ xử lý CMOS, thực hiện các quy trình sau:-Hình thành wafer.-Kỳ thuật in ành litô.

-Hình thành well và kênh.-Cách ly. - Oxide cống.-Hình thành cõng và máng/nguồn.-Tiếp xúc và tạo kim loại.II. BÀI TẬP1.Vè đặc tuyên dòng điện - điện áp ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

trong các transistor MOS.2.Tính toán các tham số mạch điện: trì hoàn mạch (trì hoàn tăng, trì hoàn giâm), nỏ lực logic, trì hoãn ký sinh.3.Thiết kê c

ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

ác mạch logic cơ bản: chú thích mạch điện băng các điện dung và điện trở. Phác thảo mạch điện theo các quá trình chuyến đối đâu ra giảm, tăng.4.Viết c

Đê Cương Cơ Sớ Thiết Kê VLSII.LÝ THUYẾT1.Layout và chê tạo CMOS: Mặt cắt ngang cõng đảo. Quá trình chê tạo.2.Các chẽ độ làm việc của MOS transistor.3.

ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã ngang công đáo, Quá trình ché tạo?Mõi cat ngang công đàos.o2n* diffusionp» diffusion polysđicon metal 1Trong so’ đồ này cống đảo được tạo ra trên sub

strate loại p nhưng pMOS yêu cầu miền body là loại n nên n-well được khuếch tán vào substrate trong vùng lân cận.nMOS có nguồn và máng loại n và miên ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

cống polysilicon bên trên 1 lớp mỏng SiO:pMOS có nguồn và máng loại p và miên cống polysilicon bên trên 1 lớp mỏng SiO2.Các miên polysilicon của 2 tra

ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

n được nối với nhau tạo thành ngõ vào A. Miền nguồn nMOS được nối với GND, pMOS nối với Vdd. Các miên máng của 2 tran được nối băng kim loại đê tạo ra

Đê Cương Cơ Sớ Thiết Kê VLSII.LÝ THUYẾT1.Layout và chê tạo CMOS: Mặt cắt ngang cõng đảo. Quá trình chê tạo.2.Các chẽ độ làm việc của MOS transistor.3.

ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã nối với điện áp thấp đế tránh không phân cực thuận tiếp giáp p-n giừa substrate loại p với nguồn máng n của nMOS, n-well nôi với điện áp cao.IZZ] «0»I

I n» affusionII p* (Mustonw\> pđysilioon CZ2AlV ĐỀ CƯƠNG CHI TIẾT CƠ SỞ THIẾT KẾ VLSI Học viện Kỹ thuật mật mã

Đê Cương Cơ Sớ Thiết Kê VLSII.LÝ THUYẾT1.Layout và chê tạo CMOS: Mặt cắt ngang cõng đảo. Quá trình chê tạo.2.Các chẽ độ làm việc của MOS transistor.3.