tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên
➤ Gửi thông báo lỗi ⚠️ Báo cáo tài liệu vi phạmNội dung chi tiết: tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên
tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên
IMÔN THIẾT KÊ' VI MẠCH SỐĐỀ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory - RRAM)GVHD: TS. Trần Hoàng LinhSinh viên tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên thực hiện:STTHỌ VÀ TÊNMSSV1Nguyễn Đức Tiến17118972Nguyễn Đinh Tuấn18126913Trần Đình Kiên17128264Nguyễn Trung Kiên1712829MỤC LỤCLỜI GIÓI THIỆU..........................................................1PHẦN I: TÕNG QUAN BỘ NHỚ KHỐNG KHÀ BIẾNVÀ BỘ NHỚ ĐIỆN TRỜ TRUY CẬP NGÀU NHIÊN...................... tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên ............2I.Bộ nhớ điện tình (Non-volatile memory - NVM).....................21.1.Tổng quan chung..................................................tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên
..21.2.Phân loại công nghệ bộ nhớ trạng thái rán..........................4II.Bộ nhớ điện trờ truy cập ngầu nhiên(Resistance random access memory - RRIMÔN THIẾT KÊ' VI MẠCH SỐĐỀ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory - RRAM)GVHD: TS. Trần Hoàng LinhSinh viên tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên ê độ chuyến mạch điện trở......................................1411.3.Cơ chẽ chuyên mạch điện trờ......................................1411.3.1.Phản fíng oxy hóa khfí và sự dichuyến cùa các ion cation (CBRAM)......................................1411.3.2.Phàn fíng oxy hóa khfí và sựdi chuyến của các tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên ion anion (OxRRAM)...................................1511.4.Đặc tính cùa bộ nhớ diện trờ truy cập ngầu nhiên (RRAM)..........1611.4.1.Độ bên.........tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên
................................................1611.4.2.Sự lưu trừ.....................................................1611.4.3.Tính đồng nhất.......IMÔN THIẾT KÊ' VI MẠCH SỐĐỀ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory - RRAM)GVHD: TS. Trần Hoàng LinhSinh viên tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên ệntuân thù........................1811.5.2.Phương pháp điềukhiến điện ápđặtlại.........................2011.5.3.Phương pháp thay dõi độ rộng xung của chương trình / hoạt động xóa. .21 tiểu luận thiết kế vi mạch số công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên IMÔN THIẾT KÊ' VI MẠCH SỐĐỀ TÀI:Công nghệ bộ nhớ điện trở truy cập ngẫu nhiên(Resetive Random Access Memory - RRAM)GVHD: TS. Trần Hoàng LinhSinh viênGọi ngay
Chat zalo
Facebook